自動連續加料
用于半導體級晶體生長
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產品特點
自動連續加料
自動連續加料系統:連續給料速率線性可調，實時給料速率波動＜±10g/min。
摻雜系數高
自動連續摻雜系統:聯動閉環控制，動態按比例連續固體摻雜，有效摻雜系數較氣象摻雜工藝高2~3倍。
電阻率精準控制
長晶工藝:可實現窄電阻率分布硅晶體的電阻率精準控制，生長徑向和軸向電阻均勻分布晶體。
生產優勢
產能提升不依賴于坩堝投料量、爐體、熱場尺寸擴大等常規方式，生產效率高成本低。
自主研發的配套工藝成果
① 10inch鎵摻雜P型晶體:整根軸向電阻率0.6-0.7ohm.cm，徑向電阻率RRG＜6.0%。
② 8inch磷摻雜N型超低阻晶體:頭部電阻率＜0.001ohm.cm，徑向電阻率RRG＜6%。
技術參數
| 整機尺寸 | (LWH)2000X2300X10800mm |
| 加料容量 | 1000kg 可定制 |
| 摻雜系統 | 高精度連續在線固體摻雜，控制精度±0.01g |
| 主腔室內徑：1400mm 副爐室內徑：350mm |
兼容 24~34 英寸 RCZ 和 32~34 英寸 CCz 熱。衫10 英寸以下直徑的晶體 |
| 加熱方式 | 電阻加熱，DC 電源 Pmax=150:50kW |
| 裝料方式 | 主爐室側向連續外部加料裝置 (容量 1200kg)+ 動態在線硅料補充裝置 + 石英場內預裝；加料速度可在 20g-600g/min 范圍內線性調控，控制精度 ≤ 500g/ h |
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